天合光能申请异质结电池及其制备方法专利，使得异质结电池的性能得到进一步提升

专利摘要显示，本发明提供了一种异质结电池及其制备方法，包括衬底；位于所述衬底背光面的背面掺杂非晶硅层；位于所述的背面掺杂非晶硅层与所述衬底之间的背面钝化层，其中，所述背面钝化层包括掺氧基材，且所述背面钝化层具有与所述背面掺杂非晶硅层的接触部和非接触部，所述接触部的掺氧浓度小于所述非接触部的至少部分区域的掺氧浓度。这样，可以使得背面钝化层的光学带隙更大，且能够避免价带偏移量较大，降低对于光的吸收，提高短路电流密度，并且能够进一步提高钝化效果，同时，可以降低对空穴的传输和收集的影响，使得异质结电池的性能得到进一步提升。