7月19日上午，黄河公司光伏技术公司与瑞士INDEOTEC公司就HIBC异质结背接触电池工艺技术及研发设备进行了深入交流和讨论。
INDEOTEC公司作为非晶硅淀积设备供应商，在2013年就与瑞士电子学与微电子科技中心(CSEM)合作进行HIBC结构电池研发，并在此领域取得了一些先进的研究成果。
INDEOTEC公司相关业务负责人详细介绍了HIBC异质结背接触电池的非晶硅沉积工艺要点和工艺步骤，双方交流了采用的硬掩膜制备HIBC电池的技术方案，并说明了INDEOTEC等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备在异质结电池非晶硅层沉积工艺过程中的重点技术，分析了非晶硅层厚度、均匀性及界面钝化等需重点关注、影响效率提升的因素。
交流过程中，双方参会人员进行了充分的技术研讨，技术公司介绍了公司目前在HIBC电池、IBC和HIT高效电池技术研究方面取得的进展和成果，并提出了后期进行技术合作的可能性及展望，INDEOTEC公司做出了积极响应，双方对共同推进光伏产业技术公司的技术研发工作表示出极大热忱。
